三星明年量产430层闪存！但有人瞄准了1000+层

快科技4月16日消息，星明三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存
 ，年量可用的产层堆叠层数达290层，相比现在的闪存香港内一肖一码大公开236层只增加不到23％。

这一代新闪存将采用新的人瞄堆叠架构，底部是准层管家婆正版图片大全CMOS层加逻辑电路，上边是星明145层闪存阵列 ，再上边又是年量145层闪存阵列。

这种方法虽然更复杂 ，产层但是闪存良品率可以得到很好的保障
，而且可以轻松进一步拓展 。人瞄

按照三星的准层规划 ，2025年下半年将量产第十代V-NAND，星明澳门一肖一码必中特进一步堆叠到430层。年量

更遥远的产层未来，三星可能会在2030年左右做到1000层  。

中国长江存储可能会在今年下半年量产300层，SK海力士计划明年初量产321层，铠侠号称2031年量产1000多层！

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